现在很多人了解到MOS的饱和导通时电阻很小。
不过MOS的导通有条件，就是GS电压要求比较高。（具体查型号资料，大约要6-8v？）
在保护方面，我们需要
1，简单可靠，务必不要太复杂
2，触发电压要低，电流要求要小，否则灵敏度达不到
第一个图不明显，第二个图看了就很明显，K钳位到二个二极管的电压。就说明触发的电压非常低。这对于像漏电保护这样需要通过不平衡的磁产生电流的触发方式来说，非常合适。
这是电池充电防反接，控制2N5401的Vbe从而触发可控硅是否导通。这个图如果是充铅酸，其实电压并不低，也不是不可以采用MOS？对吧？
**MOS并不是不可以做保护，mos，继电器，脱扣电磁铁等都能做保护。实际是根据具体情况而设计。只是设计时一般会采用久经考验，皮实，廉价，简单容易实现的电路。
